单晶硅压阻式压力传感器工作原理
压阻式压力传感器利用单晶硅的压阻效应而构成。采用单晶硅片为弹性元件，在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺，在单晶硅的特定方向扩散一组等值电阻，并将电阻接成桥路，单晶硅片置于传感器腔内。
当压力发生变化时，单晶硅产生应变，使直接扩散在上面的应变电阻产生与被测压力成比例的变化，再由桥式电路获得相应的电压输出信号。
数字、智能:±0.075%校验量程
模拟、线性:±0.1%校验量程
数字、智能: 零点误差:±0.1%URL/56℃ 总体误差:±(0.2%URL+0.18%校验量程)/56℃
模拟、线性 零点误差:±0.1%URL/56℃ 总体误差:±(0.5%URL+0.5%校验量程)/56℃振动影响 在任意轴向上，200Hz下振动影响为±0.05%URL/g电源影响 小于±0.005%输出量程/伏特。
折叠负载影响
没有负载影响，除非电源电压有变化。电磁干扰/射频干扰(EMI/RFI影响) 由20至1000MHz，场强达至30V/M时，输出漂移小于±0.1%量程。
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